2023年4月27日——上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。

FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性，其中擦写寿命大于400万次、数据保持时间大于200年，产品性能及可靠性达到业界领先水平，应用于CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等相关领域。其中FM24C/FM25系列车规产品已通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证。

FM25/FM29系列SLC NAND存储器
         FM25/FM29系列是目前国内外首款单芯片同时支持双接口（SPI/PPI）双电源（1.8/3.3）的 SLC NAND Flash，产品开发团队针对28nm先进工艺平台特性，优化编擦、擦除、回读算法，采用内部8bit BCH ECC设计，兼顾成本、性能和可靠性，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求。SPI系列（FM25）容量覆盖512Mb~4Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。PPI系列为（FM29）容量覆盖2Gb~8Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。

FM25S系列产品特点：

　　存储器容量：512Mb~4Gbit

　　工作电压范围1.8V/3.3V；

　　工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；

　　SPI高速单/双/四口：104MHz(3.3V) / 85MHz(1.8V)

　　支持内置8 bit ECC，满足客户Error-Free 需求

　　高可靠性：

　　Endurance：6万擦写次数

　　Data Retention：10年

　　封装支持TDFN5X6/TDFN6X8等多种封装形式。

　　FM29F系列产品特点：

　　存储器容量：2Gb~8G bit

　　工作电压范围1.8V/3.3V；

　　工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；

　　兼容ONFI 1.0标准：50MHz(3.3V) / 33MHz(1.8V)

　　支持内置8 bit ECC，满足客户Error-Free 需求

　　高可靠性：

　　Endurance：6万擦写次数

　　Data Retention：10年

　　封装支持BGA63/TSOP48等多种封装形式。

下一阶段，复旦微电SLC NAND Flash存储器全系列产品将覆盖512Mbit~16Gbit容量， 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品*高工作频率将扩展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式，16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口，可满足客户更快读写访问速度需求。同时，全系产品会继续提升耐写性指标，满足客户高工规的应用。

　　FM24/FM25系列串行EEPROM存储器

　　本次复旦微电推出国内首款低功耗超宽电压FM24LN系列I2C串行EEPROM存储器、FM24N/25N宽电压高可靠I2C/SPI串行EEPROM，以及FM24C/FM25车规EEPROM三个系列的新产品。复旦微电产品经理周泉介绍道，产品开发团队针对流片工艺平台的特性，以及对存储器产品工作原理的深刻理解，对EEPROM存储器读写电路进行了特别的优化设计，大幅度提升了产品的性能及可靠性，为客户提供了更多的产品选择，可以满足CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等各种应用领域需求。FM24C/FM25系列车规产品已通过权威第三方测试认证机构——工业和信息化部电子第五研究所AEC-Q100 Grade 1车规级验证，产品工作温度扩展至-40℃~+125℃。